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Electronics Glossary

Gase und Fachbegriffe in der Elektronik Industrie. Kurzbeschreibungen in alphabetischer Reihenfolge.

A

Ammoniak (NH3)

Beschreibung:

Schwer brennbares, giftiges, korrosives, umweltgefährliches Gas

Verwendung:

Reinigung von Wafern, Herstellung einer Siliziumnitridschicht im CVD-Prozess

Argon (Ar)

Beschreibung:

chemisch inertes, farbloses, ungiftiges Edelgas

Verwendung:

Inertisierung, spülen, härten und für die Gasentladung bei der Metallisierung (Sputtern)

Download:

Sicherheitsdatenblatt

Arsin (AsH3)

Beschreibung:

sehr giftiges, hochentzündliches, umweltgefährliches Gas

Verwendung:

Arsenquelle für Diffussionsprozesse und Ionenimplantation (n-Dotierung)

Ätzen

Beschreibung:

Abtragen von Schichten (insbesondere SiO2) durch Einsatz korrosiver Chemikalien. Weitere Informationen hier

Ätzgase

Beschreibung:

verwendet werden korrosive Gase wie HCl, WF6 aber auch fluorierte Kohlenstoffverbindungen wie z.B. C2F6 , C4F8 . Sie sind an sich nicht korrosiv, setzen aber in einer Gasentladung sehr reaktive Fluorid-Ionen frei.

B

Bortrichlorid (BCl3)

Beschreibung:

Sehr giftiges, korrosives, unbrennbares Gas

Verwendung:

Plasmaätzen, Borlieferant für die Ionenimplantation (p-Dotierung)

Bortrifluorid (BF3)

Beschreibung:

Sehr giftiges, korrosives, unbrennbares Gas

Verwendung:

Borlieferant für die Ionenimplantation (p-Dotierung)

Bromwasserstoff (HBr)

Beschreibung:

Korrosives, unbrennbares Gas

Verwendung:

Ätzgas / Plasmaätzen

Bussystem

Beschreibung:

Übliche Verkabelungsmethode um vielfältige Informationen aus einem Bereich übertragen zu können. Im Unterschied zur herkömmlichen "Klemmleisten-Verkabelung" ist hier nur ein Stammkabel notwendig, über das nacheinander alle Informationen übertragen werden können. Über ein und denselben Bus können auch mehrere Equipments angeschlossen werden, die unter Verwendung unterschiedlichen Adressen ("Bushaltestellen") nacheinander "angefahren" werden und die Informationen "einsammeln".

C

CF4

Beschreibung:

s. Tetrafluormethan

Chlor (Cl2)

Beschreibung:

Giftiges, korrosives, umweltgefährliches, unbrennbares Gas

Verwendung:

Plasmaätzen, Oxidation von Silizium

Chlortrifluorid (ClF3)

Beschreibung:

Unbrennbares, stark korrosives, giftiges Gas

Verwendung:

Kammerreinigung von Diffusionsöfen

Chlorwasserstoff (HCl)

Beschreibung:

Giftiges, korrosives, unbrennbares Gas

Verwendung:

zum Ätzen / Plasmaätzen, für die Oxidation, Passivierung und Epitaxie.

Controller

Beschreibung:

Steuerungs- und Bedienteil eines Gaskabinetts oder einer VMB. Der Controller ist vollständig vom Gasteil eines Gaskabinetts oder einer VMB getrennt. Hier laufen alle automatisierten Prozesse ab, Informationen werden aus dem Gasteil aufgenommen (Drücke etc.) und zur Anzeige gebracht.

CVD Chemical Vapour Deposition

Beschreibung:

Aufbringen dünner Schichten auf einem Substrat durch Abscheidung der aufzubringenden Stoffe aus der Gasphase. Weitere Informationen hier

D

Datenkonzentrator

Beschreibung:

Schaltschrank mit SPS (Speicherprogrammierbare Steuerung), der der Aufnahme sämtlicher Datenleitungen (z.B. aus der Gasversorgung) dient, um die Daten anschließend an das Monitoring zu übertragen.

Diboran (B2H6)

Beschreibung:

Sehr giftiges, hochentzündliches Gas.

Verwendung:

Borlieferant für die Ionenimplantation (p-Dotierung) und für die Epitaxie

Dichlorsilan (SiH2Cl2)

Beschreibung:

Giftiges, korrosives, hochentzündliches Gas

Verwendung:

Zur Erzeugung von Siliziumdioxid und Siliziumnitrid-Schichten bei der CVD und die Herstellung von Silizium.

Diffusion

Beschreibung:

Dotierungstechnik, bei der im ersten Schritt Fremdatome auf die Halbleiteroberfläche aufgebracht werden. Im 2. Schritt diffundieren diese Fremdatome bei hoher Temperatur in das Kristallgitter des Halbleiters.

Disilan (Si2H6)

Beschreibung:

Farbloses, selbstenzündliches Gas

Verwendung:

als Siliziumquelle in der Epitaxie, in der Niedertemperatur-Siliziumdioxid-CVD und für die Siliziumnitrid-CVD

Distickstoffmonoxid (Lachgas) (N2O)

Beschreibung:

Ungiftiges, brandförderndes / oxidierendes Gas

Verwendung:

gemeinsam mit Silan zur Herstellung von Siliziumnitridschichten im CVD-Prozess

Download:

Sicherheitsdatenblatt

Dotierung

Beschreibung:

Gezielter Einbau von Fremdatomen in das Kristallgitter eines Halbleiters mit dem Ziel die elektrische Leitfähigkeit des Halbleiters zu verändern. Siehe auch n-Dotierung und p-Dotierung.

Downtime

Beschreibung:

Stillstandszeit. Bezeichnung des Zeitraumes, in dem ein (Gas-)System nicht in Betrieb ist. Man unterscheidet zwischen "scheduled Downtimes", erwartungsgemäßen, geplanten Stillstandszeiten für Wartung oder sonstigen Modifikationen und den "unscheduled Downtimes", den ungeplanten Ausfällen wie Not-Aus, Havarien etc. Downtime wird oftmals prozentual oder relational angegeben, z.B. bedeutet eine Downtime von 5ppm eine Stillstandszeit von 5(10-6 Zeiteinheiten der geplanten Einsatzzeit.

E

Entspannungstableau

Beschreibung:

Rohrleitungs- und Armaturenpart eines Gaskabinettes. Hier wird das aus der Druckgasflasche kommende Gas auf den Betriebsdruck entspannt, gefiltert und aufbereitet.

Epitaxie

Beschreibung:

Abscheidung von monokristallinen (Glo-monokristallines Silizium) dotierten Si-Schichten auf einer monokristallinen Silizium-Unterlage. Die Unterlage prägt der abgeschiedenen Schicht ihre Kristallstruktur auf. Eingesetzte Gase: Siliziumtetrachlorid, Wasserstoff, arsen- oder phosphorhaltige Gase. Weitere Informationen hier.

ESG

Beschreibung:

Electronic specialty gas. Reinstgase in Druckgasflaschen für die Halbleiterindustrie.

F

Feldebene

Beschreibung:

IT-Begriff: Bereich der Equipments, die an ein Monitoring angeschlossen werden sollen. Zur Feldebene gehören z.B: Gaskabinette, VMBs, Tanks etc. (Eingangsseite des Datenkonzentrators).

Fluor (F2)

Beschreibung:

Giftiges, korrosives oxidierendes Gas

Verwendung:

Ätzgas / Plasmaätzen, im Gemisch mit Krypton und Neon als Lasergas bei der Fotolithographie.

Fluorwasserstoff (HF)

Beschreibung:

Sehr giftiges, korrosives, unbrennbares Gas

Verwendung:

Kammerreinigung bei der CVD

Fotolithographie

Beschreibung:

Technik, zur Strukturierung von Halbleitern. Die SiO2-Schicht auf einem Wafer wird mit Fotolack überzogen und dann durch eine Maske an einigen Stellen belichtet an anderen nicht. Von den belichteten oder unbelichteten Stellen (je nach Art des Fotolackes) wird der Fotolack durch Lösungsmittel abgelöst. Die darunterliegende SiO2 Schicht kann dann im anschließenden Ätzprozeß weggeätzt werden und das freigelegt Silizium dotiert werden.

G

Gaskabinett

Beschreibung:

Sicherheitsgasschrank zur Aufnahme von Druckgasflaschen. Besteht hauptsächlich aus dem Gasschrank, dem Entspannungstableau und dem Controller.

H

Helium (He)

Beschreibung:

Chemisch inertes, farbloses, ungiftiges Edelgas

Verwendung:

zum Kühlen

Download:

Sicherheitsdatenblatt

Hexafluorethan (C2F6)

Beschreibung:

Ungiftiges, unbrennbares Gas

Verwendung:

Ätzgas / Plasmaätzen

Hook up

Beschreibung:

Anschluss von Maschinen an die Gasversorgungsanlagen.

I

Ionenimplantation

Beschreibung:

Dotierungstechnik. Dabei werden in einem Elektrischen Feld beschleunigte Ionen auf die Halbleiteroberfläche geschossen. Auf Grund ihrer Bewegungsenergie dringen sie in das Kristallgitter des Halbleiters ein. Weitere Informationen hier.

J

K

Kohlendioxid (CO2)

Beschreibung:

Ungiftiges, unbrennbares Gas

Verwendung:

CVD, Veränderung der elektrischen Leitfähigkeit von DI-Wasser.

Download:

Sicherheitsdatenblatt

Kohlenmonoxid (CO)

Beschreibung:

Giftiges, hochentzündliches Gas

Verwendung:

gemeinsam mit C4F8 zum Plasmaätzen

Kommunikationsebene

Beschreibung:

IT-Begriff: Ebene in der die Informationen aus der Gasversorgung aufbereitet und visualisiert sind. (Softwareebene). Zur Kommunikationsebene gehören das Monitoringsystem, die Bedienstationen, Server etc. (Ausgangsseite des Datenkonzentrators).

Krypton (Kr)

Beschreibung:

chemisch inertes, farbloses, ungiftiges Edelgas

Verwendung:

im Gemisch mit Fluor und Neon als Lasergas bei der Fotolithographie

L

M

Metallisierung

Beschreibung:

Aufbringen einer Metallschichten zur Herstellung von leitenden Verbindungen, z.B. für Anschlüsse. Diese Metallschichten werden dann über Fotolithographie und Ätztechniken so bearbeitet, dass nur die gewünschten Leiterbahnen stehen bleiben.

Methan (CH4)

Beschreibung:

Brennbares, ungiftiges Gas

Verwendung:

Brenngas

Monitoring

Beschreibung:

Softwarebasiertes Visualisierungssystem. Dient der zentralen Erfassung aller prozeßrelevanten Informationen aus einem Bereich (z.B. der Gasversorgung). In einem Monitoringsystem werden Alarme generiert, Trends erfasst statistische Auswertungen durchgeführt u. ä. Schalthandlungen vom Monitoringsystem an die Gasversorgung werden in der Regel nicht durchgeführt.

N

n-Dotierung

Beschreibung:

Einbau von 5-wertigen Elementen (wie Antimon, Arsen, Phosphor oder Wismuth )in das Kristallgitter des Siliziumkristalles. Dadurch wird die elektrische Leitfähigkeit des Siliziums durch überschüssige negative Leitungselektronen verändert. Dotierung

O

Octafluorcyclobutan (C4F8)

Beschreibung:

Ungiftiges, unbrennbares Gas

Verwendung:

Ätzgas / Plasmaätzen

Oxidation

Beschreibung:

Herstellung einer Siliziumoxidschicht, z.B. als Isolationsschicht oder Schutzschicht. Weitere Informationen hier

P

p-Dotierung

Beschreibung:

Einbau von 3-wertigen Elementen (wie Aluminium, Bor, Gallium oder Indium) in das Kristallgitter des Siliziumkristalles. Dadurch wird die elektrische Leitfähigkeit des Siliziums durch ortsveränderliche Elektronenfehlstellen, die wie positive Ladungsträger wirken, verändert. Dotierung

Panel

Beschreibung:

siehe Monitoring

Perfluorpropan (C3F8)

Beschreibung:

Ungiftiges, unbrennbares Gas

Verwendung:

Ätzgas / Plasmaätzen

Phosphin (PH3)

Beschreibung:

Sehr giftiges, hochentzündliches, umweltgefährliches Gas

Verwendung:

als Phosphorquelle für CVD, Ionenimplantation und Epitaxie

Phosphor

Beschreibung:

Giftiger, fester Stoff, selbstentzündlich an Luft

Verwendung:

für die n-Dotierung bei der Ionenimplantation

Phosphorsäure H3PO4

Verwendung:

zum Ätzen von Siliziumnitridschichten

Plasmaätzen

Beschreibung:

Ätzen mit Gasen (im Gegensatz zum nasschemischen Ätzen mit flüssigen Chemikalien)

Q

R

S

Salpetersäure

Beschreibung:

Flüssiges korrosives Oxidationsmittel

Verwendung:

zum Reinigen von Silizium-Wafern und zum Ätzen von Metallen

Salzsäure

Beschreibung:

in Wasser gelöster Chlorwasserstoff

Sauerstoff (O2)

Beschreibung:

Ungiftiges, brandförderndes/oxidierendes Gas

Verwendung:

Oxidation von Siliziumschichten

Download:

Sauerstoff verdichtet

Schwefelhexafluorid (SF6)

Beschreibung:

Farbloses, geruchsloses, ungiftiges, unbrennbares Gas

Verwendung:

Plasmaätzen

Schwefelsäure

Beschreibung:

Giftige, stark ätzende Flüssigkeit

Verwendung:

Entfernen photoresistenter Schichten und Reinigen von Wafern.

Silan (SiH4)

Beschreibung:

Farbloses, selbstenzündliches Gas

Verwendung:

als Siliziumquelle in der Epitaxie, in der Niedertemperatur-Siliziumdioxid-CVD und für die Siliziumnitrid-CVD

Silizium

Beschreibung:

Halbmetall, aus dem Wafer hergestellt werden.

Man unterscheidet:

monokristallines Silizium = Silizium mit einer gleichmäßigen Kristallgitterstruktur

polykristallines Silizium = Silizium mit einer ungleichmäßigen Kristallgitterstruktur

Siliziumdioxid

Beschreibung:

Quarz. Hergestellt durch thermische Oxidation von Silizium.

Verwendung:

als Passivierungs-, Schutz- oder Isolierschicht

Siliziumnitrid

Verwendung:

als Passivierungs-, Schutz- oder Isolierschicht

Siliziumtetrachlorid (SiCl4)

Beschreibung:

Farblose, korrosive, unbrennbare Flüssigkeit, die sich bei Kontakt mit Feuchtigkeit sofort zu HCl bzw. Salzsäure zersetzt

Verwendung:

Ablagerung von Siliziumschichten in der Epitaxie und in der Hochtemperatursiliziumdioxid-CVD

Siliziumtetrafluorid (SiF4)

Beschreibung:

Sehr giftiges, korrosives unbrennbares Gas

Verwendung:

rein oder im Gemisch mit Sauerstoff zum Ätzen von Silizium.

Slurry

Beschreibung:

Flüssigkeit, die mit einem Schleifmittel versetzt ist.

Verwendung:

Polieren etc

Stick

Beschreibung:

Eine Linie in einer VMB. Jedem Stick ist ein Prozeßtool zugeordnet.

Supervision System

Beschreibung:

siehe Monitoring

Stickstoff (N2)

Beschreibung:

Ungiftiges, unbrennbares Gas

Verwendung:

Spülgas, zum Inertisieren, zum Reinigen und als Trägergas in der CVD

Download:

Sicherheitsdatenblatt N2 tiefkalt flüssig

Stickstoffmonoxid (NO)

Beschreibung:

Sehr giftiges, korrosives, oxidierendes Gas

Verwendung:

zur Herstellung von Siliziumoxid-/Siliziumnitridschichten

Stickstofftrifluorid (NF3)

Beschreibung:

gesundheitsschädliches, oxidierendes Gas

Verwendung:

Plasmaätzen, zum Ätzen von Silizium und Siliziumnitrid, Wolfram-Silizium-Verbindungen und Wolfram-Schichten und zum Reinigen der CVD-Kammern.

T

Tableau

Beschreibung:

siehe Entspannungstableau

Tetrafluormethan (CF4)

Beschreibung:

Farbloses, geruchsloses, ungiftiges, unbrennbares Gas

Verwendung:

rein oder im Gemisch mit Sauerstoff zum Plasmaätzen von Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, polykristallinem Silizium und einigen Silizium-Metallverbindungen vor dem CVD-Prozess

Tool

Beschreibung:

Prozeßequipment des Halbleiterunternehmens, an das die (Gas-) Versorgungen angeschlossen werden

Touchscreen

Beschreibung:

Berührungsempfindlicher Bildschirm. "State of the art"-Eingabefeld bei Gaskabinetten (z.T. auch bei VMBs). Dient gleichzeitig als Eingabefeld für den Bediener und als Ausgabebildschirm

U

V

VCR(r)

Beschreibung:

Reinstgasverschraubung. Wird im Halbleiterbereich fast ausschließlich für lösbare Verbindungen von Rohrleitungen, Fittings und Armaturen eingesetzt.

Valve Manifold Box (Verteilerbox, Ventilbox)

Beschreibung:

Unterverteiler der vom Gaskabinett kommenden Prozeßgasleitung auf mehrere Gaslinien.

W

Wasserstoff (H2)

Beschreibung:

Ungiftiges, brennbares Gas

Verwendung:

Trägergas bei Dotierung und Epitaxie.

Download:

Sicherheitsdatenblatt

Wolframhexafluorid (WF6)

Beschreibung:

Sehr giftiges, korrosives, unbrennbares Gas

Verwendung:

Kammerreinigung bei der CVD

X

Xenon

Verwendung:

Elektronenlieferant bei der Ionenimplantation

Y

Z

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